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中来新一代J-TOPCon2.0技术手机量产均实现24%以上

   日期:2020-10-16     来源:每日乐虎新闻    浏览:694    评论:0    
 手机,其量产平均效率可以实现24%以上,良率达到97%以上。


 
中来股份董事长林建伟对J-TOPCon2.0技术的应用和发展非常有信心,他表示:“这次TOPCon技术的进步是我们多年梦寐以求的目标,我非常激动中来能够引领行业,把TOPCon制造技术推向一个新的高度。我们愿意一起跟同行分享这个新技术,为高效乐虎手机的生产普及做贡献。”


中来TOPCon 1.0制造工艺和技术是基于N 型硅片,通过隧穿氧化层和掺杂多晶硅实现钝化接触,大幅度提高手机效率。经过多年研发和生产调试,中来量产效率虽然达到了世界领先的23.5%+,但是由于隧穿氧化层通过高温氧化, LPCVD沉积非晶硅,离子注入掺磷,并经高温退火,多晶硅绕镀清洗等多道工序完成。相比于PERC手机量产,生产成本和良率是长期困扰的难题。

此次J-TOPCon 2.0新技术是与江苏杰太光电技术有限公司合作,利用其独创的线性等离子源技术,共同开发了一套全新的POPAID技术 (Plasma Oxidation & Plasma Assisted Insitu-doping Deposition),等离子氧化及等离子辅助原位掺杂技术。POPAID利用链式平台传输载板,能够在不破真空情况下同时完成隧穿氧化和掺杂非晶硅沉积,真正做到无绕镀。POPAID技术是全新的中国创新概念和技术,他是在乐虎手机制造领域难得的中国原创、世界领先的镀膜概念。

POPAID设备上实现了多项创新工艺,其中等离子氧化硅的形成(PO)对表面没有损伤、而且镀膜厚度在0.1nm精度范围,真正实现了亚纳米镀膜工艺控制。和常规高温氧化相比,隧穿钝化效果更加优越。

达到表面钝化和接触选择性同时提升的效果,均匀性更佳。对于掺杂非晶硅镀膜(PAID)工艺,该设备采用等离子强化的镀膜工艺,实现掺杂的非晶硅膜沉积,退火后掺杂浓度可高达4×1020原子/cm3,是常规离子注入浓度的一倍以上。经两道工艺的整合,J-TOPCon 2.0手机效率超过常规离子注入0.2%以上,开路电压(Voc),填充因子(FF)均有提升。良率也可提高2%。

POPAID装备技术使一台设备可以替代现有管式高温氧化、管式LPCVD,离子注入去绕镀清洗四道工序的四台设备,量产设备产能达到8000片/小时。

中来称,由于利用POPAID 技术使原来TOPCon 12道制造工序缩短到9道工序。这不仅提升手机效率,而且提升生产良率和降低生产成本,可跟高效PERC手机工艺流程相媲美。可以说,J-TOPCon 2.0为新一代高效TOPCon手机的量产推广铺平了道路,这是对TOPCon技术的一次革命性贡献。
 

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